Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
Пошуковий запит: (<.>A=Бончик А$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
      
Категорія:    
1.

Бончик А. Ю. 
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n - GaAs:Si / А. Ю. Бончик, И. И. Ижнин, С. Г. Кияк, Г. В. Савицкий // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2005. - № 3. - С. 3-4. - Библиогр.: 7 назв. - pyc.


Ключ. слова: GaAs, ионная имплантация, фотонный отжиг, концентрация носителей, активность примеси.
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3-06

Рубрики:
 Напівпровідникові матеріали та вироби 

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
2.

Савицкий Г. В 
Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин "Оникс" / Г. В Савицкий, А. Ю. Бончик, И. И. Ижнин, С. Г. Кияк, И. А. Могиляк, И. П. Тростинский // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2002. - № 6. - С. 45-47. - Библиогр.: 5 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852-06

Рубрики:
 Напівпровідникові прилади 

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
3.

Фодчук И. М. 
Влияние высокодозового облучения ионами $Ebold roman N sup + на кристаллическую структуру $Ebold roman {Y sub 2,95 La sub 0,05 Fe sub 5 O sub 12 } / И. М. Фодчук, И. И. Гуцуляк, Р. А. Заплитный, И. П. Яремий, А. Ю. Бончик, И. И. Сыворотка // Металлофизика и новейшие технологии. - 2013. - 35, № 7. - С. 993-1004. - Библиогр.: 15 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227

Рубрики:
 Радіаційні ефекти в напівпровідниках 

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
4.

Фодчук И. М. 
Рентгеновская дифрактометрия структуры легированных лантаном железо-иттриевых гранатов после ионной имплантации / И. М. Фодчук, В. В. Довганюк, И. И. Гуцуляк, И. П. Яремий, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий, И. М. Сыворотка, Е. С. Скакунова // Металлофизика и новейшие технологии. - 2013. - 35, № 9. - С. 1209-1222. - Библиогр.: 23 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.134 + В379.2

Рубрики:
 Дифракція рентгенівських променів в кристалах 
 Фізика напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського